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Konstantin Osipov

Short channel GaN FET MMIC technology for high reliability applications

Innovationen mit Mikrowellen und Licht. Forschungsberichte aus dem Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik Bd. 74

Nowdays GaN HEMT technology reached maturity level that allows industral fabrication of such devices for wide range of civil (telecommunications, power electrinics, automotive etc.), as well as space and …

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